PE-CVD裝置
Model： CC-200
小型且使用方便，是能夠應對從研究開發到小批量生產的PE-CVD裝置。
特性
- 支持27.12MHz高密度等離子體製程
- SiH 4類:對應SiO 2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS類:對應SiO 2膜
- CF 4 +O 2等離子可清理室
- 提供OLED低溫沉積膜的加熱器
- 托盤運輸可容納各種基板尺寸
用途
- 動力裝置
- 與LED、LD、高速器件等化合物相關
- OLED開發
- 太陽能電池開發
- MEMS
