乾蝕刻設備
Model： NE-550EX
這是採用磁場 ICP靜磁場（ISM）方式的乾蝕刻設備，採用單晶圓加工結構，標配LL腔體。小巧、低成本，非常適合研發。
特性
- 與其他 ICP 方法相比，磁場輔助可以產生更低的壓力、低電子溫度和更高密度的等離子體，從而實現從離子蝕刻到自由基蝕刻的廣泛等離子體控制。
- 配備“星形電極”，用於防止RF輸入窗口中的儲存物體附著。另外，由於具有加熱功能，重視再現性和穩定性的裝置概念
- 設備結構簡單，易於維護
- 可安裝多種選項，包括盒式腔室、200°C基板加熱 ESC 台和終點檢測機構(EPD)
- 與面向量產線的uGmni-200E採用同一腔室，可作為開發工具處理多種製程
用途
- 化合物材料(LED、LD、VCSEL、高頻設備、通信和電源設備)
- 電極加工、金屬佈線、有機膜、陶瓷等的加工
- 用於加工鐵電體、貴金屬、磁性薄膜等難蝕刻材料
- 納米壓印、NEMS、MEMS、各種感測器
- 生物晶片、微流裝置、光子晶體等。
規格
| 模型 | NE-550EX |
| 基板安裝 | 單片式處理，卡匣式 |
| 基板尺寸 | 〜Φ200 mm |
| 操作壓力 (Pa) | 0.07〜6.7 |
| 整面Wafer內/Wafer與Wafer間均勻性 | ±5% max. |
| 基板控制 | 機械吸盤、靜電吸盤 |
