PE-CVD 장비
Model： CME
실리콘계의 절연막이나 배리어 성막 등의 성막에 최적인 양산용 PE-CVD 장치입니다. 트레이 반송 방식을 채용하고 있어, 다양한 기판에 대응 가능하고, 뛰어난 코스트 퍼포먼스를 실현하고 있습니다.
특징
- 27.12MHz의 고밀도 플라즈마 공정에 대응
- SiH4 계 SiO2, SiNx, SiON, a-Si, TEOS계 SiO2 막에 대응
- NF 3 + Ar 플라즈마에 의한 챔버 클리닝 가능
- 트레이 반송 방식 때문에, 다양한 기판 종류나 기판 사이즈에의 성막 성막 가능
최대 기판 크기
Model: CME-200E 200mm□
Model: CME-400E 300×400mm□
Model: CME-500E 500mm□
용도
- 전원 장치
- LED, LD, 고속 장치
- OLED
- 태양전지
- MEMS
