PE-CVD 장비
Model： CC-200
소형으로 사용하기 쉽고, 연구 개발부터 소량 생산까지 대응할 수 있는 PE-CVD 장치입니다.
특징
- 27.12MHz의 고밀도 플라즈마 공정에 대응
- SiH4 계: SiO2, SiNx, SiON, a-Si, TEOS계: SiO2 막에 대응
- CF 4 + O 2 플라즈마에 의한 챔버 클리닝 가능
- OLED용 저온 성막 용 히터 대응 가능
- 트레이 반송에 의해 다양한 기판 사이즈에 대응
용도
- 전원 장치
- LED, LD, 고속 디바이스 등의 화합물 관련
- OLED 개발
- 태양전지 개발
- MEMS
