Model： NE-550EX

특징

• 자장 어시스트에 의해 다른 ICP 방식보다 저압, 저전자 온도 플라즈마가 발생할 수 있어 이온성 에칭으로부터 라디칼성 에칭까지 폭넓은 플라즈마 제어가 가능
• RF 투입창의 데포물 부착 방지용 「스타 전극」을 탑재. 또, 가열 기능을 가지기 때문에, 재현성이나 안정성 중시의 장치 컨셉
• 장비 구조가 간단하고 유지보수가 용이
• 카세트실, 200℃ 기판 가열 ESC 스테이지, 종점 감지 메커니즘 풍부한 옵션도 탑재 가능
• 양산 라인용 uGmni-200E와 동일한 챔버이므로 개발 툴로서 다용한 프로세스에 대응이 가능

용도

• 화합물 재료(LED, LD, VCSEL, 고주파 디바이스, 통신 디바이스 및 파워 디바이스)
• 전극 가공, 금속 배선, 유기막, 세라믹 등의 가공
• 강유전체나 귀금속, 자성막 등의 자성막 난 에칭 재료 어려운 에칭재료
• 나노 임프린트, NEMS, MEMS, 각종 센서
• 바이오칩이나 미세 유체 장치, 포토닉 크리스탈 포토닉결정 등

사양