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可以稳定形成世界最高水平的PZT溅射膜。(MEMS on CMOS成膜对应：PZT成膜温度 <500℃)
搭载多腔室，可以实现PZT full stack（上下电极+PZT）一致成膜。
Challenge
・500℃以下低温工艺
MEMS on CMOS制作时，需要500℃以下的低温工艺，但是要使PZT结晶化，需要通过溅射的方法必须要达到600℃
・高压电性能和高可靠性并存
・面向量产化的高产能和高再现性
解決方案
・Buffer Layer的活用
活用Buffer Layer、在 500°C以下实现 PZT 结晶
・面向PZT溅射的硬件
在500℃以下的低温工艺中，兼具优秀的压电性能和高可靠性
・在同一设备中实现 PZT 配置
由于是cluster式溅射设备，因此在同一设备中可对各膜层结构进行成膜
Specification of ULVAC PZT supttering
| Item | Specification | Advantage |
| Deposition temperature | <500 deg.C | On CMOS |
| Wafer size | 8 inch | Mass Production |
| Deposition rate | 4 μm/h | |
| Thickness uniformity | ±3.0% | |
| Pb content uniformity | ±0.6% | |
| Stress uniformity | Δ64MPa (Max-Min) | |
| Crystalline orientation | c-axis | High Performance |
| Morphorogy | Ra : 3.2 nm | |
| Piezoelectric coefficient :|e31| | ~ 15.5 C/m2 | |
| Breakdown voltage | ~ 200V (@2.0μm) | |
| TDDB(45V, 80 deg.C) | >2x 106 hours | |
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