提供与作为下部电极的Pt具有高选择性的Pt/PZT刻蚀工艺。(选择比例:PZT/Pt>5@8inch, >10@6inch)
此外还提供最小化下部电极刻蚀量的高均匀性(<+/-3%@8inch)和精密的End point检测。
提供与作为下部电极的Pt具有高选择性的Pt/PZT刻蚀工艺。(选择比例:PZT/Pt>5@8inch, >10@6inch)
此外还提供最小化下部电极刻蚀量的高均匀性(<+/-3%@8inch)和精密的End point检测。
可以稳定形成世界最高水平的PZT溅射膜。(MEMS on CMOS成膜对应:PZT成膜温度 <500℃)
搭载多腔室,可以实现PZT full stack(上下电极+PZT)一致成膜。
近年来MEMS器件技术不断进化,成为各种传感器、执行器不可或缺的存在。 … 压电MEMS的制造工艺