面向BAW器件的成膜/加工技术

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背面Via刻蚀

Notch产生的原因 (1)阳离子向底部SiO2表面入射 (2)SiO2表面正charge up (3)阳离子继续入射正charge up的SiO2表面，但是(4)由于SiO2表面对正电荷的排斥作用，入射轨道横向弯曲 (5)与侧壁碰撞并在那里发生刻蚀反应，形成Notch。
⇒为防止此种情况的发生，将脉冲电源引入下电极以缓解充电。 另外，我们使用TSV技术，Non-Bosch etching可以实现Taper control（锥度控制）和高Aspect Ratio（深宽比）。

Contact电极成膜（Evaporation）

兼顾量产和lift off

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