2020年11月13日2020年12月31日GaN HEMT 爱发科电子器件工艺解决方案 GaN-HEMT结构中的Gate形成 This post is also available in: 日语 英语GaN HEMT 中的Gate结构有多种模式,但都要求非常浅的加工。 挑战 保持可控速率 尽可能无损坏 能够进行选择加工的地方通过选择加工进行 解决方案 设置Recess结构 在极低速率刻蚀中稍微保留 AlGaN。(在 25nm 刻蚀中保留 5nm 的示例) Leaving 5nm by 25nm etching 设置p型GaN层 只刻蚀p-GaN、留下AlGaN。 设置AlN间隔层的方法 1 ~ 1.5nm的AlN成膜、刻蚀AlGaN。 お問い合わせはこちら