GaN HEMT制造工艺

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GaN HEMT(高电子迁移率晶体管:High Electron Mobility Transistor)是新一代功率半导体,具有低工作电阻和高抗损性,有望应用于大功率和高频电子设备。

GAN HEMT的工艺流程

1. GaN外延层形成

2. N+离子注入

3. Isolate离子注入

4. AlGaN Recess or 选择刻蚀

为了形成Gate的Recess构造,需要非常浅的加工。极低速率、选择加工、无损伤非常重要。

通过ULVAC刻蚀技术解决Gate形成的问题。

5. SiN Gate 绝缘膜形成

6. SiN Gate 绝缘膜加工

要求低损伤刻蚀。

面向GaN HEMT结构的成膜/加工技术介绍

7. Gate电极形成&Lift off

Gate电极的形成使用蒸镀的Lift off工艺。

8. S/D电极形成&加工

Ti/Al以溅射成膜、通过刻蚀加工形成电极。

面向GaN HEMT结构的成膜/加工技术介绍

9. 支持基板贴合&研磨

10. 背面Via刻蚀

为了连接电极,需要对背面的Si/SiC进行Via加工。

面向GaN HEMT结构的成膜/加工技术介绍

11. 种子金属层成膜

在电镀之前,通过溅射形成种子层。

面向GaN HEMT结构的成膜/加工技术介绍

12. 电镀