离子注入设备
Model：SOPHI
这是一款中电流离子注入设备，在功率器件和IGBT领域占有最大的市场份额。
特性
- 超薄晶圆可通过直接传输进行加工
- 还可以直接传输翘曲板并实现高精度的定向平面对准对准。
- 利用平行光束实现高精度植入
- 单离子SOPHI-200可加速200kV, SOPHI-260可加速260kV
- 可维护性好，CoO低
- 可选5kV低能量注入
- 支持Φ125mm、Φ150mm、Φ200mm基材
用途
- 半导体、电子元件
- 功率器件薄基材工艺、SiC工艺
- R&D
- VCSEL
- SOI/LNOI
- MEMS
规格
| Model | SOPHI-200 | SOPHI-260 |
| 基材尺寸（毫米） | Φ100～200 | |
| 能量范围 | 最高600keV | 最高780keV |
| 最大束流 | 2500eμA | |
| 离子种类 | B、P、As、Si、Ge、Sb、In | |
