离子注入设备
Model：SOPHI
这是一款中电流离子注入设备，在功率器件和IGBT领域中保持领先市场份额。
特长
- 可直接搬送并处理超薄晶圆
- 可直接搬送翘曲基板并实现高精度的光刻对准
- 利用平行离子束可实现高精度注入
- 在单离子模式下，SOPHI-200可加速至200kV, SOPHI-260可加速至260kV
- 维护简单便捷，运营成本低
- 可选配5kV低能量注入
- 支持Φ125mm、Φ150mm、Φ200mm基板
用途
- 半导体、电子元件
- 功率器件等薄型基板工艺、SiC工艺
- R&D
- VCSEL
- SOI/LNOI
- MEMS
规格
| Model | SOPHI-200 | SOPHI-260 |
| 基板尺寸（mm） | Φ100～200 | |
| 能量范围 | 最高600keV | 最高780keV |
| 最大离子束电流 | 2500eμA | |
| 离子种类 | B、P、As、Si、Ge、Sb、In | |
