离子注入设备
Model： SOPHI-400
高能离子注入设备，能量可达1200keV，在功率器件和IGBT领域占据领先市场份额。
特长
- 可直接搬运并处理超薄晶圆
- 可直接搬运翘曲基板，并实现高精度的光刻对准
- 1价可实现400kV加速
- 利用平行离子束可实现高精度注入
- 维护简单便捷，运营成本低
- 可选配5kV低能量注入
用途
- 功率器件等薄基板工艺、IGBT工艺
- VCSEL
- SOI/LNOI
- MEMS
规格
| Model | SOPHI-400 |
| 基板尺寸（mm） | Φ125～Φ200 |
| 能量 | Up to 1200keV |
| 最大离子束电流 | 1300eμA |
| 离子种类 | P 、H |
