离子注入设备
Model： SOPHI-400
这是一款最高可处理1200keV的高能离子注入设备，在功率器件和IGBT领域占有最大的市场份额。
特性
- 超薄晶圆可直接运输和加工
- 还可以实现翘曲板的直接传送和高精度定向平面对准。
- 1价可实现400kV加速
- 利用平行光束实现高精度植入
- 可维护性好，CoO低
- 可选5kV低能量注入
用途
- 功率器件薄基材工艺、IGBT工艺
- VCSEL
- SOI/LNOI
- MEMS
规格
| Model | SOPHI-400 |
| 基材尺寸（毫米） | Φ125～Φ200 |
| 能量 | Up to 1200keV |
| 最大束流 | 1300eμA |
| 离子种类 | P 、H |
