离子注入设备
Model： IH
这是一款适用于功率器件和SiC器件的、可兼容高温和室温的高能离子注入设备。
特长
- 可瞬间切换高温/常温模式
- 可自动连续高温注入
- 支持1价离子400keV、2价离子800keV、3价离子1200keV
- 高吞吐量
双平台（高温平台和冷却平台，ULVAC专利）
* 可瞬间切换高温平台与冷却平台/向高温静电夹具施加电压脉冲
*通过快速加热减少基板损伤/通过预热室缩短加热时间 - 可连续注入，减轻操作员的负担
- 紧凑型设计
- 广泛适用于从试制到量产的各种需求
- IH-860PSIC支持最大φ150mm的基板，IH-1200PSIC支持最大φ200mm的基板。
用途
- SiC离子注入设备
- MEMS
规格
| Model | IH-860PSIC | IH-1200PSIC |
| 基板尺寸（mm） | 最大Φ150 | 最大Φ200 |
| 能量 | 最高1200keV | 最高1200keV |
| 最大离子束电流 | Al+ 1300eμA Al++ 400eμA |
Al+ 2600eμA Al++ 800eμA N＋2000eμA |
| 剂量范围 | 1E11~1E16 | 1E11~1E16 |
| 离子种类 | P、B、Ar、Al、N | P、B、Ar、Al、N |
