离子注入设备
Model： IH
这是一款适用于功率器件和SiC器件的、可兼容高温和室温的高能离子注入设备。
特性
- 可在高温和低温之间即时切换
- 可自动连续高温注射
- 1价离子支持400keV、2价离子支持800keV、3价离子支持1200keV
- 高吞吐量
双压板（高温台和冷却台，ULVAC专利）
* 高温台与冷却台瞬间切换/高温静电吸盘电压脉冲应用
*通过快速加热减少基材损坏/通过预热室减少加热时间 - 链式注入，减轻操作员的负担
- 紧凑设计
- 从试制到量产可广泛应对
- IH-860PSIC支持最大φ150mm的基板，IH-1200PSIC支持最大φ200mm的基材。
用途
- SiC离子注入设备
- MEMS
规格
| Model | IH-860PSIC | IH-1200PSIC |
| 基材尺寸（毫米） | 最大Φ150 | 最大Φ200 |
| 能量 | 最高1200keV | 最高1200keV |
| 最大束流 | Al+ 1300eμA Al++ 400eμA |
Al+ 2600eμA Al++ 800eμA N＋2000eμA |
| 剂量范围 | 1E11~1E16 | 1E11~1E16 |
| 离子种类 | P、B、Ar、Al、N | P、B、Ar、Al、N |
