灰化设备
Model： NA
灰化设备有两种类型：晶圆对应型和面板对应型。晶圆级对应设备可兼容各尺寸晶圆工艺至晶圆级封装工序的各类工艺场景，是半导体封装工序中销量No.1的设备。面板级对应设备可支持最大φ600mm的加工尺寸，针对大尺寸面板也能实现均匀的Descum处理及Ti刻蚀去除工艺。
特长
Model: NA-8000, 1300
- 可实现无损伤的离子注入剥离工艺及聚合物去除工艺
- 采用最适合F类气体添加工艺的腔体结构，可实现无颗粒污染。由此，可应对常规PR、离子注入剥离、有机膜剥离(PI、DFR等)、以及氧化膜刻蚀等广泛的工艺。
- 采用简化的设备结构，实现了高维护性，高可靠性，及低成本
- 通过多种腔室配置选项(微波、RIE、微波+RIE)，可根据工艺需求进行最优设置
- 通过配方设置轻松更改晶片尺寸
Model： NA-1500
- 可选择微波下行处理或RF偏压
- 支持Ti种子层刻蚀、Descum和其他表面处理工艺
- 除灰化工艺外，还可对应表面处理及亲水化处理等新工艺
用途
- 前端工艺中的离子注入剥离工艺(1 x 10 16 atoms/cm 2或更大)及聚合物去除
- 需要添加CF 4的晶圆工艺(电子元件，LED)
- 芯片级封装和BUMP工艺
- CCD彩色滤光片制造工艺
- Descum、Desmear
- 表面改质(疏水性→亲水化，亲水性→疏水化)电镀等湿法工艺的前处理，underfill封止成形
- 树脂材料的灰化
- 种子层Ti的刻蚀
- SiO 2，SiN的刻蚀
规格
| Model | NA-8000 | NA-1300 | NA-1500 |
| 基板尺寸（mm） | Φ100～200 | Φ200、Φ300 | 最大600mm□ |
| 工艺室 | 1 | 2～6 | 2 |
| 等离子源 | MW、RF | MW、VHF、RF | |
| 用途 | 研发~小规模生产 | 量产 | 面板封装 |
