灰化装置
Model： NA
灰化装置有两种类型：晶圆兼容型和面板兼容型。晶圆兼容型采用不受晶圆尺寸限制的设计，可处理从下一代晶圆工艺到晶圆级安装过程的各种工艺，是半导体安装过程中应用最广泛的系统。面板兼容型可兼容最大尺寸为600平方毫米的面板，即使在大型面板上也能进行 均匀的除渣处理和钛蚀刻。
特性
Model: NA-8000, 1300
- 可实现无损离子植入物剥离工艺及聚合物去除工艺
- 采用最适合F类气体添加工艺的腔体结构，可实现无颗粒处理。由此，可以应对普通PR、离子植入剥离、有机膜剥离(PI、DFR等)、氧化膜蚀刻等广泛的工艺。
- 简单的设备配置，可提供高可维护性、高可靠性和低成本
- 可选的腔室配置(μ波、RIE、μ波+RIE)允许根据流程优化配置
- 通过配方设置轻松更改晶片大小
Model： NA-1500
- 可选择μ波下行和RF偏置
- 支持Ti种子层蚀刻、Descum和其他表面处理工艺
- 作为除灰之外的新工艺，还可进行表面处理和亲水化处理
用途
- 前端工序中的离子植入剥离工序(1 x 10 16 atoms/cm 2或更大)和聚合物去除
- 需要CF 4添加工艺的晶圆工艺(电子元件，LED)
- 芯片尺寸封装和BUMP工艺
- CCD彩色滤光片制造工艺
- Descum、Desmear
- 表面改质(防水性→亲水化，亲水性→防水化)电镀等Wet工序的前处理，底焊前处理
- 树脂材料的灰化
- 蚀刻种子层Ti
- SiO 2，SiN的蚀刻
规格
| Model | NA-8000 | NA-1300 | NA-1500 |
| 基材尺寸（毫米） | Φ100～200 | Φ200、Φ300 | 最高600毫米□ |
| 处理室 | 1 | 2～6 | 2 |
| 等离子源 | MW、RF | MW、VHF、RF | |
| 用途 | 研发~小规模生产 | 批量生产 | 面板安装 |
