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3. 设备结构
图6是为了实现层叠成膜而搭载的PE C VD法制备SiNx成膜室与汽化法制备Acryl成膜室的设备。在装有基板搬运机械臂的核心室附近，连接着SiNx成膜室4个与Acryl成膜室2个以及装载室与卸载室各1个。以这种结构来处理本公司的推荐膜厚（Si N x / A c r y l / S i N x ＝ 4 0 0nm/250 nm/400 nm）时，可以实现180 秒的生产速率。
SiNx成膜室为安装有27.12MHz并行平板型电极的等离子CVD设备，如前所述，它不但拥有优秀的阻隔性能等工艺特性，还具备成膜速率在400nm/min以上，分布在G4.5级别下低于±5％（基板端部10mm除外）的性能。
根据元件结构还可以实现SiOxNy膜和SiOx膜的成膜。采用图案掩模时，还可以装备基于CCD镜头的±3μm高性能对准机构。
Acryl成膜室能够以一个腔室进行成膜和硬化两个工序的处理。其下部装载有成膜单元，上部则装载了进行硬化的UV灯单元。以其他公司相比结构更加紧凑。具有成膜速率在700nm/min以上、分布在G4.5级别下低于±6％的（基板端部10mm除外）的性能。
４．结语
综上所述，在本公司推荐膜厚（SiNx/Acryl/SiNx＝400nm/250nm/400nm）下，具有在60℃、相对湿度90％（以下90％RH）的高温高湿环境中仍存在500小时以上的耐久能力。
今后，封装技术将会面向新一代柔性元件的实用化而不断追求更高的封装性能与更高的弯曲特性。本公司的茅崎总公司、工厂拥有本文中所介绍的带有SiNx成膜室与Acryl成膜室的G4.5验证机，今后还会继续进行相关的研发。
文 献
1） C. W. Tang, et al.: Appl. Phys. Lett., 51, 913（1987）.
2） J. Lewis, Material Today, Number 4, Volume 9（2006）.
3） http://www.oled-info.com/oled-encapsulation
4） 台湾经济部工业局财团法人工业技术研究院＆台湾电子设备协会（TEEIA）2014
5） G. Nisato, et al.: Proc. Soc. Info. Display Symp., Digest Tech. Papers, 34, 550（2003）.
6） W. Huang, et al.: Mat. Sci. and Eng. B98 248 （2003）.
7） N. Sato, Finetech Japan, 2014.
8） S. Seo, et al.: Appl. Phys. Lett. 102, 161908（2013）.
9） A. Dameron, et al.: J. Phys. Chem. 112, 4573（2008）.
10） P. Carcia, et al.: Appl. Phys. Lett. 89, 31915（2006）.
11） P. F. Caria, et al.: J. Appl. Phys. 106, 023533（2009）.
12） J. Affinito, et al.: Thin Solid Films 290, 63（1996）.
13） http://www.oled-info.com/kateeva-announces-new-
ink-jet-based-oled-encapsulation-system-we-discuss-it-
companys-president
14） P. Weijer, T. Mol, ICT-216641 Fast2light（2009）.
15） 财团法人冈山县产业振兴财团，研究开发成果等报告书（2010年）