離子注入設備
Model：SOPHI
這是一款中電流離子注入設備，在功率元件和IGBT領域佔有最大的市場份額。
特性
- 超薄晶圓可透過直接傳輸進行加工
- 還可以直接傳輸翹曲基板並實現高精度的晶圓平邊對準對準。
- 利用平行光束實現高精度植入
- 單離子SOPHI-200可加速200kV, SOPHI-260可加速260kV
- 可維護性好，CoO低
- 可選5kV低能量註入
- 支援Φ125mm、Φ150mm、Φ200mm基板
用途
- 半導體、電子元件
- 功率元件薄基板製程、SiC工藝
- R&D
- VCSEL
- SOI/LNOI
- MEMS
規格
| Model | SOPHI-200 | SOPHI-260 |
| 基板尺寸（毫米） | Φ100～200 | |
| 能量範圍 | 最高600keV | 最高780keV |
| 最大電子束流 | 2500eμA | |
| 離子種類 | B、P、As、Si、Ge、Sb、In | |
