離子注入設備
Model： SOPHI-400
這是最高可處理1200keV的高能量離子注入設備，在功率元件和IGBT領域佔有最大的市場份額。
特性
- 超薄晶圓可直接運輸加工
- 還可以實現翹曲基板的直接傳送和高精度晶圓平邊對準。
- 1價可實現400kV加速
- 利用平行光束實現高精度植入
- 可維護性好，CoO低
- 可選5kV低能量註入
用途
- 功率元件薄基板製程、IGBT工藝
- VCSEL
- SOI/LNOI
- MEMS
規格
| Model | SOPHI-400 |
| 基板尺寸（毫米） | Φ125～Φ200 |
| 能量 | Up to 1200keV |
| 最大電子束流 | 1300eμA |
| 離子種類 | P 、H |
