離子注入設備
Model： IH
這是一種高能量離子注入設備，可以在高溫或室溫下用於功率元件和SiC裝置。
特性
- 可在高溫和低溫之間即時切換
- 可自動化連續高溫處理注入
- 1價離子支持400keV、2價離子支持800keV、3價離子支持1200keV
- 高通量
雙壓板（高溫台和冷卻台，ULVAC專利）
* 高溫台與冷卻台瞬間切換/高溫靜電吸盤電壓脈衝施加
*透過快速加熱減少基板損壞/透過預熱室減少加熱時間 - 鏈式註入，減輕操作員的負擔
- 緊湊設計
- 可廣泛對應從試作到量產的需求
- IH-860PSIC 最大支援 Φ150 mm，IH-1200PSIC 最大支援 Φ200 mm基板
用途
- For SiC離子注入設備
- MEMS
規格
| Model | IH-860PSIC | IH-1200PSIC |
| 基板尺寸（毫米） | 最大Φ150 | 最大Φ200 |
| 能量 | 最高1200keV | 最高1200keV |
| 最大電子束流 | Al+ 1300eμA Al++ 400eμA |
Al+ 2600eμA Al++ 800eμA N＋2000eμA |
| 劑量範圍 | 1E11~1E16 | 1E11~1E16 |
| 離子種類 | P、B、Ar、Al、N | P、B、Ar、Al、N |
