灰化設備
Model： NA
灰化設備有兩種類型：晶圓相容型和麵板相容型。晶圓兼容型採用不受晶圓尺寸限制的設計，可處理從下一代晶圓工藝到晶圓級封裝製程的各種工藝，是半導體封裝製程中應用最廣泛的系統。面板相容型可相容於最大尺寸為600平方毫米的面板，即使在大型面板上也能進行均勻的除渣處理和鈦蝕刻。
特性
Model: NA-8000, 1300
- 可實現無損離子植入物剝離製程及聚合物去除製程
- 採用最適合F類氣體添加工藝的腔體結構，可實現無顆粒處理。由此，可以應對普通PR、離子植入剝離、有機膜剝離(PI、DFR等)、氧化膜蝕刻等廣泛的製程。
- 簡單的設備配置，可提供高可維護性、高可靠性和低成本
- 可選的腔室配置(μ波、RIE、μ波+RIE)允許根據製程優化配置
- 通過配方設置輕松更改晶片大小
Model： NA-1500
- 可選擇μ波下行和RF偏置
- 支持Ti種子層蝕刻、Descum和其他表面處理製程
- 作為除灰之外的新製程，還可進行表面處理和親水化處理
用途
- 前端製程中的離子植入剝離製程(1 x 10 16 atoms/cm 2或更大)和聚合物去除
- 需要CF 4添加製程的晶圓製程(電子元件，LED)
- 晶片尺寸封裝和BUMP工藝
- CCD彩色濾光片製造製程
- Descum、Desmear
- 表面改質(防水性→親水化，親水性→防水化)電鍍等Wet工序的前處理，底焊前處理
- 樹脂材料的灰化
- 蝕刻種子層Ti
- SiO 2，SiN的蝕刻
規格
| Model | NA-8000 | NA-1300 | NA-1500 |
| 基板尺寸（毫米） | Φ100～200 | Φ200、Φ300 | 最高600毫米□ |
| 製程室 | 1 | 2～6 | 2 |
| 等離子源 | MW、RF | MW、VHF、RF | |
| 用途 | 研發~小規模生產 | 批量生產用 | 面板安裝 |
