이온 주입 장치
Model：SOPHI
파워 디바이스, IGBT용으로 톱 쉐어를 가지는 중전류 대응의 이온 주입 장치 입니다.
특징
- 초박형 웨이퍼가 직접 반송으로 처리 가능
- 휨 기판 직접 반송이나 고정밀도의 오리프라 맞춤 Orientation Flat맞춤도 가능
- 평행 빔으로 고정밀도 주입 가능
- 싱글 이온으로 SOPHI-200은 200kV, SOPHI-260은 260kV 가속 가능
- 유지보수성이 좋고 CoO가 낮음
- 옵션으로 5kV에서 저에너지 주입이 가능
- Φ125mm, Φ150mm, Φ200mm 기판에 대응
용도
- 반도체, 전자 부품
- 기판 디바이스 등 박형 기판 프로세스, SiC 프로세스
- R&D
- VCSEL
- SOI/LNOI
- MEMS
사양
| Model | SOPHI-200 | SOPHI-260 |
| 기판 사이즈(mm) | Φ100～200 | |
| 에너지 범위 | 최대 600keV | 최대 780keV |
| 최대 빔 전류 | 2500eμA | |
| 이온종 | B、P、As、Si、Ge、Sb、In | |
