이온 주입 장치
Model： SOPHI-400
파워 디바이스, IGBT용으로 톱 쉐어를 가지는 Max1200keV까지 대응이 가능한 고에너지의 이온 주입 장치 입니다.
특징
- 초박형 웨이퍼를 직접 반송으로 처리가 가능
- 휨 기판 직접 반송, 고정밀도의 오리프라 맞춤 Orientation Flat맞춤 가능
- 1가로 400kV 가속이 가능
- 평행 빔으로 고정밀도 주입 가능
- 유지보수성이 좋고 CoO가 낮음
- 옵션으로 5kV에서 저에너지 주입이 가능
용도
- 파워 디바이스 등 박형 기판 프로세스, IGBT 프로세스
- VCSEL
- SOI/LNOI
- MEMS
사양
| Model | SOPHI-400 |
| 기판 사이즈(mm) | Φ125～Φ200 |
| 에너지 | Up to 1200keV |
| 최대 빔 전류 | 1300eμA |
| 이온종 | P 、H |
