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이온 주입 장치

Model: IH

파워 디바이스, SiC 디바이스용의 고온/상온 대응의 고에너지 이온 주입 장치 입니다.

특징

  • 고온/상온의 전환이 즉시 가능
  • 자동 연속 고온 처리 주입 가능
  • 1가 이온으로 400keV, 2가 이온으로 800keV, 3가 이온으로 1200keV까지 대응
  • 높은 처리량
    Dual Platen(고온 스테이지 and 냉각 스테이지, ULVAC patent)
    ※고온 스테이지와 냉각 스테이지를 순간적으로 전환 가능/ 고온 정전 척 전압 펄스 적용 인가
    ※급속 가열에 의한 기판 데미지 경감/프리히트실에 의한 가열 시간 단축
  • 체인 주입 가능하기 때문에 운전자의 부하 경감
  • 컴팩트한 디자인
  • 시작부터 양산까지 폭넓게 대응 가능
  • IH-860PSIC는 Φ150mm, IH-1200PSIC는 Φ200mm 기판까지 대응

용도

  • SiC 용 이온 주입 장치
  • MEMS

사양

Model IH-860PSIC IH-1200PSIC
기판 사이즈(mm) 최대 Φ150 최대 Φ200
에너지 최대 1200keV 최대 1200keV
최대 빔 전류 Al+ 1300eμA
Al++ 400eμA
Al+ 2600eμA
Al++ 800eμA
N+2000eμA
도즈 범위 1E11~1E16 1E11~1E16
이온종 P、B、Ar、Al、N P、B、Ar、Al、N

제품소개

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