Model： NA

특징

Model: NA-8000, 1300

• 데미지 프리 이온 임플란트 박리 공정 및 폴리머 제거 공정 실현
• F계 가스 첨가 공정에 최적인 챔버 구성으로 파티클 프리 대응이 가능. 이에 따라 노멀 PR, 이온 임플란트 박리, 유기막 박리(PI, DFR 등), 산화막 에칭 등 폭넓은 공정에 대응 가능
• 심플한 장치 구성을 채용해, 뛰어난 메인터넌스성과 높은 신뢰성, 한층 더 저비용을 실현
• 챔버 구성 옵션(μ파, RIE, μ파+RIE)으로 프로세스에 따른 최적의 설정이 가능
• 레시피 설정으로 쉽게 웨이퍼 사이즈 변경 가능

Model： NA-1500

• μ파 다운 플로우 및 RF 바이어스 선택 가능
• Ti 시드층의 에칭이나 Descum, 그 외의 표면 처리 프로세스에도 대응
• 애싱 이외의 새로운 프로세스로서 표면 처리나 친수화 처리에도 대응이 가능

용도

• 프론트엔드 공정에서 이온 임플란트 박리 공정(1 x 10 ¹⁶ atoms/cm ² 이상) 및 폴리머 제거
• CF4 첨가 공정이 필요한 웨이퍼 공정 ₍전자 부품, LED)
• 칩 사이즈 패키지 및 BUMP 공정
• CCD 컬러 필터 제조 공정
• Descum, Desmear
• 표면 개질(발수성→친수화, 친수성→발수화) 도금 등 Wet 공정의 전처리, 언더필 전처리
• 수지계 재료의 애싱
• Seed 층 Ti의 에칭
• SiO2_, SiN 에칭

사양