溅射装置
Model： SEGul-200
该设备采用本公司独有的RaSE（Radical Assist Sputter Epitaxy）方法，实现GaN的外延生长，可用于功率器件、光学器件和RF器件。该技术解决了GaN器件制造过程中的元素设计自由度、成本、环境影响等课题。
特性
- 膜厚&电阻分布±10% (Φ200mm区域)
- 因为是溅射，所以不需要特殊的气体除害设备
- 工艺室最多可配备3个
可对应开发~量产运用 - 支持φ50mm～φ200mm的基材
RaSE方法的特点
- 工艺温度600~800°C
- 掺杂引起的n型GaN生长
- 使用气体种类:Ar、N 2
用途
- 动力装置
- 通信设备
- μLED