PE-CVD装置

Model：uGmni-200C

该设备在uGmni的标准核心上配备了PE-CVD模块。与托盘式设备相比，它可以实现高质量成膜并且低颗粒。

特性

支持27.12 MHz高密度等离子体处理
SiH ₄类:对应SiO ₂、SiNx、SiON、a-Si、TEOS类:对应SiO ₂膜
NF ₃ +Ar等离子可用于腔室清洗
支持最大φ200mm基材

用途

以下是一个例子。

功率器件种子和金属层形成溅射
MEMS传感器PZT成膜与蚀刻
光学器件VCSEL 处理蚀刻
高密度镶嵌除渣灰化
通信器件绝缘膜沉积及加工PE-CVD

产品介绍