IGZO目标高迁移率材料|材料|产品介绍|爱发科
材料

IGZO靶材 高迁移率材料

爱发科生产和销售用于IGZO TAOS (采用In、Ga、Zn、O的透明无组织的氧化物半导体)的IGZO靶材。为了抑制颗粒,我们致力于提高靶材的密度和减少分割数,并为世界上大多数显示器制造商提供高质量的IGZO靶材材料,IGZO溅射设备和工艺。此外,ULVAC成功开发了长约3米的大型IGZO靶材。这种大型IGZO靶材有望从根本上解决TFT特性的恶化。

另外,应显示器制造商的要求,还开发了爱发科独自开发的高移动度氧化物半导体靶材,实现了以往IGZO靶材3倍左右的迁移率 (10cm 2 /Vs) 。

特长

IGZO靶材

  • 更高的密度和更少的分割数,提供更高质量的靶材
  • 颗粒少,膜特性稳定
  • 可利用大型量产机进行量产
  • 可提供3米的大型IGZO靶材
  • 各种不同比例及添加物的In:Ga:Zn生产实绩

高迁移率

  • 爱发科的原创比例组成材料
  • 无组织的氧化物半导体的迁移率为IGZO的3倍左右
  • 能为量产带来更大生产效益 (请参阅ULVAC技术期刊)

用途

  • 液晶,有机EL,下一代显示器

产品介绍

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