材料
半导体制造装置专用
半导体制造装置专用
溅射靶材
ULVAC作为尖端薄膜材料的领导者，通过仔细考虑每种材料的制造方法，开发和制造了以“低颗粒”、“均匀的膜厚分布”和“高利用效率”为质量目标的高质量溅射靶材。
特性
- 半导体用铝靶提供了杂质金属成分和氧气等气体成分减少的材料，抑制了溅射时粒子的产生
- 半导体用高纯度靶材(W、Co、Ti)，采用注意金属组织的微细、均匀化的制造工艺
例) 高纯度钴靶材:通过金属组织的微细、均匀化，将靶材表面泄漏磁通的偏差最小化
例) 钨靶材:可根据客户要求控制结晶粒径、减少气体成分 - SPC管理提供全面的质量保证
半导体装置用溅射靶材料
| 应用领域 | 材质 | 用途 |
|---|---|---|
| 电极材料 | W （5N） | 闸门 |
| WSi（5N） | 闸门 | |
| Co（5N） | 闸门 | |
| Ni（5N） | 闸门 | |
| Ti（5N） | 屏障等 | |
| 各种硅化物 (4Nup) | ||
| 布线材料 | Al (5N、5N5)及AlCu等Al合金(5N、5N5) | 布线层 |
| SiO2（4N、6N） | 绝缘材料 | |
| 用于安装布线 | Al (5N、5N5)及Al合金(5N、5N5) | 配线 |
| Cu（4N） | 配线 | |
| Cr（3N） | 屏障 | |
| TiW（4N up） | 屏障 | |
| Ni（5N） | 屏障 | |
| 电容器材料用 | BST | DRAM电容器/薄膜电容器 |
| PZT | FeRAM | |
| 阻隔材料 | Ti（4N5） | |
| TiW（4N up） |
主要300mm晶圆的靶材
| 靶材 | Al-0.5mass%Cu | Ti | W | WSi |
|---|---|---|---|---|
| 纯度 | 5N5up (低U, Th规格) | 5N | 5N | 5N |
| 背板材质 | Al合金或Cu合金 | 铝合金 | Al合金材料或Cu、Cu合金 | Al合金材料或Cu、Cu合金 |
| 接合方法 | 电子束焊接、整体结构件或金属键合油墨 | 扩散接合 | 金属焊接，扩散焊接 | 金属邦丁克 |