材料
半导体制造设备
半导体制造设备
溅射靶材
ULVAC作为尖端薄膜材料领域的领导者，以"低颗粒"，"均匀的膜分布"和"高利用率"为品质目标，针对每种材料深入研究制造工艺，开发并生产高品质的半导体用溅射靶材。
特长
- 半导体用高纯度铝靶材提供了一种能有效降低杂质金属成分及氧气等气体成分的材料，从而抑制溅射过程中产生的颗粒
- 半导体用高纯度靶材(W、Co、Ti)，采用注重金属组织的微细与均质化的制造工艺
例) 高纯度钴靶材:通过微细，均质化金属组织，将靶材表面磁通量泄露的波动降至最低
例) 钨靶材:可根据客户要求控制晶粒尺寸或降低气体成分 - 通过SPC管理实现万全的质量保证
半导体设备用溅射靶材料
| 应用领域 | 材质 | 用途 |
|---|---|---|
| 电极材料 | W （5N） | 栅极 |
| WSi（5N） | 栅极 | |
| Co（5N） | 栅极 | |
| Ni（5N） | 栅极 | |
| Ti（5N） | 屏障等 | |
| 各种硅化物 (4Nup) | ||
| 布线材料 | Al (5N、5N5)及AlCu等Al合金(5N、5N5) | 布线层 |
| SiO2（4N、6N） | 绝缘材料 | |
| 封装布线 | Al (5N、5N5)及Al合金(5N、5N5) | 布线 |
| Cu（4N） | 布线 | |
| Cr（3N） | 屏障 | |
| TiW（4N up） | 屏障 | |
| Ni（5N） | 屏障 | |
| 电容器材料 | BST | DRAM电容器/薄膜电容器 |
| PZT | FeRAM | |
| 屏障材料 | Ti（4N5） | |
| TiW（4N up） |
主要300mm晶圆用靶材
| 靶材 | Al-0.5mass%Cu | Ti | W | WSi |
|---|---|---|---|---|
| 纯度 | 5N5up (低U, Th规格) | 5N | 5N | 5N |
| 背板材质 | Al合金或Cu合金 | 铝合金 | Al合金材料或Cu、Cu合金 | Al合金材料或Cu、Cu合金 |
| 绑定方法 | 电子束焊接、整体构造型或金属绑定 | 扩散接合 | 金属绑定，扩散焊接 | 金属绑定 |