濺射裝置
Model： SEGul-200
本設備採用本公司獨有的RaSE（Radical Assist Sputter Epitaxy）方法，實現GaN的外延生長，可用於功率元件、光學元件和RF元件。此技術解決了GaN裝置製造過程中的元件結構設計自由度、成本、環境影響等主題。
特性
- 膜厚&電阻分佈±10% (Φ200mm區域)
- 因為是濺射，所以不需要特殊的氣體除害設備
- 製程室最多可配備3個
可對應開發~量產運用 - 支援φ50mm～φ200mm的基板
RaSE方法的特點
- 製程溫度600~800°C
- 摻雜引起的n型GaN生長
- 使用氣體種類:Ar、N 2
用途
- 動力裝置
- 通信設備
- μLED