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PE-CVD裝置

Model：uGmni-200C

該設備在uGmni的標準核心上配備了PE-CVD模組。與托盤式設備相比，它可以實現高品質沉積膜並且Particle少。

特性

  • 支持27.12 MHz高密度等離子體處理
  • SiH 4類:對應SiO 2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS類:對應SiO 2膜
  • NF 3 +Ar等離子可用於腔室清洗
  • 支援最大φ200mm基板

用途

以下是一個例子。

  • 功率器件種子和金屬層形成濺射
  • MEMS感測器PZT沉積膜與蝕刻
  • 光學器件VCSEL 加工蝕刻
  • 高密度鑲嵌除渣Ashing
  • 通信器件沉積絕緣膜及加工PE-CVD
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