自然氧化膜去除設備
Model：RISE-300
批次自然氧化膜去除設備適用於去除大規模積體電路（LSI）深接觸點底部等難以去除區域的原生氧化物。本系統適用於300毫米晶圓。
特性
- 以良好的均勻性 (<±5%/批) 可再現良好的幹法蝕刻去除LSIDeep-contact底部等睏難的自然氧化膜
- 無損 (遠程等離子體和低溫處理)
- 自對準接觸阻力僅為傳統濕法的1/2
- 一次處理50片300mm晶圓，實現高通量低CoO
- 重視可維護性的裝置構造
用途
- 自對準接觸形成時的預處理
- 電容器形成時的預處理
- 外延生長過程中的預處理
規格
| Model | RISE-300 | |
| 等離子源 | 微波電源 | |
| 設備配置 | EFEM + LL + PM | |
| 基板尺寸 | Φ300mm | |
| 基板階段 | 陶瓷船 (50張/批) | |
| 排氣係統 | 機械助力泵+DRP | |
| 控制係統 | FAPC+TFT觸摸屏 | |
| 氣體導入係統 | 3係統 | |