材料
IGZO靶材高遷移率材料
優貝克生產和銷售IGZO Target,用於IGZO TAOS (採用In、Ga、Zn、O的透明非晶氧化物半導體)。為了抑制粒子，我們衹力於提高目標密度和減少分數，並為世界上大多數顯示器制造商提供高質量的IGZO靶材，IGZO濺鍍設備和製程。此外，Ulvac成功開發了長約3米的大型IGZO靶材。這種大型IGZO靶材有望從根本上解決TFT特性的惡化。
另外，應顯示器制造商的要求，還開發了優貝克獨自開發的高移動度氧化物半導體靶材，實現了以往IGZO靶材3倍左右的移動度 (10cm 2 /Vs) 。
特性
IGZO靶材
- 更高的密度和更少的分區，提供更高質量的靶材
- 粒子少，膜特性穩定
- 可利用大型量產機進行量產
- 可提供3米的大型IGZO靶材
- 各種In:Ga:Zn比和添加係的生產實績
高遷移率
- 優貝克的原創成分
- 非晶態氧化物半導體的遷移率為IGZO的3倍左右
- 更大的生產流程利潤 (請參閱優貝克技術期刊)
用途
- 液晶，有機EL,下一代顯示器