材料
半導體制造裝置專用
半導體制造裝置專用
濺鍍靶材
優貝克 是尖端薄膜材料的領導者，以「Particle少」、「均勻的膜厚分佈」和「高利用效率」為品質目標，精心考慮每種材料的製造方法，提供開發和製造的高品質濺射靶。
特性
- 半導體用鋁靶提供了雜質金屬成分和氧氣等氣體成分減少的材料，抑制了濺射時粒子的產生
- 半導體用高純度靶材(W、Co、Ti)，採用註意金屬組織的微細、均勻化的製造工藝
例) 高純度鈷靶材:通過金屬組織的微細、均勻化，將靶材表面泄漏磁通的偏差最小化
例) 鎢靶材:可根據客戶要求控制結晶粒徑、減少氣體成分 - SPC管理提供全面的質量保證
半導體裝置用濺鍍靶材
| 應用領域 | 材質 | 用途 |
|---|---|---|
| 電極材料 | W （5N） | 閘門 |
| WSi（5N） | 閘門 | |
| Co（5N） | 閘門 | |
| Ni（5N） | 閘門 | |
| Ti（5N） | 屏障等 | |
| 各種硅化物 (4Nup) | ||
| 佈線材料 | Al (5N、5N5)及AlCu等Al合金(5N、5N5) | 佈線層 |
| SiO2（4N、6N） | 絕緣材料 | |
| 用於安裝佈線 | Al (5N、5N5)及Al合金(5N、5N5) | 配線 |
| Cu（4N） | 配線 | |
| Cr（3N） | 屏障 | |
| TiW（4N up） | 屏障 | |
| Ni（5N） | 屏障 | |
| 電容器材料用 | BST | DRAM電容器/薄膜電容器 |
| PZT | FeRAM | |
| 阻隔材料 | Ti（4N5） | |
| TiW（4N up） |
主要300mm晶圓的靶材
| 靶材 | Al-0.5mass%Cu | Ti | W | WSi |
|---|---|---|---|---|
| 純度 | 5N5up (低U, Th規格) | 5N | 5N | 5N |
| 背板材質 | Al合金或Cu合金 | 鋁合金 | Al合金材料或Cu、Cu合金 | Al合金材料或Cu、Cu合金 |
| 接合方法 | 電子束焊接、整體結構件或金屬鍵合油墨 | 擴散接合 | 金屬焊接，擴散焊接 | 金屬邦丁克 |