IGBT向け製造プロセス
ULVACではパワーデバイスIGBTの製造プロセスに向けたイオン注入装置、スパッタリング装置 等の技術を提供しています。パワーデバイスIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)とはInsulated Gate Bipolar Transistorの頭文字を取ったものです。
パワーデバイスIGBTのプロセスフロー
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1.基板 |
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2.B+注入イオン注入装置を使用します。 |
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3.マスク用絶縁膜形成CVDでマスク形成をします。 |
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4.マスク用絶縁膜加工エッチングとアッシングで絶縁膜を加工します。 |
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5.P+注入イオン注入装置を使用します。 |
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6.トレンチ形成エッチングでトレンチを形成します。 |
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7.絶縁膜形成
CVDで絶縁膜を形成します。 |
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8.絶縁膜加工エッチングとアッシングで絶縁膜を加工します。 |
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9.Emitter電極形成スパッタリングや蒸着で電極形成をします。 |
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10.P+ FS層形成イオン注入装置でP+FS層を形成します。 |
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11.B+(Collector)形成イオン注入装置でB+(Collector)を形成します。 |
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12.Collector形成
スパッタリングや蒸着でCollector形成します。 |
ULVACのキーテクノロジー
Ion Implantation
・FS層向けリン注入によりIGBT性能向上
・FS層向け水素注入によるCost低減
Sputtering
・薄ウエハー搬送可能
・応力調整
Etching
・Trench構造にも対応
PE-CVD
・27MHz駆動の低Damage Plasma
・基板Biasによる膜応力controlも可能