스퍼터링 장치
Model： SEGul-200
당사가 독자적으로 개발한 RaSE법(Radical assist Sputter Epitaxy)을 이용한 이 장치는 파워 디바이스, 옵토 디바이스, RF 디바이스 용도에 사용되는 GaN의 에피택셜 성장을 실현합니다. 이 기술은 소자 설계의 자유도, 비용 및 환경 부하와 같은 GaN 디바이스 제조의 과제를 해결합니다.
특징
- 막 두께 & 저항 분포±10%(Φ200mm 에리어)
- 스퍼터링 때문에 특가스 제해 설비가 불필요
- 프로세스실은 최대 3실 탑재 가능
개발~양산 운용까지 대응 - Φ50mm~Φ200mm 기판에 대응
RaSE법의 특징
- 공정 온도 600~800℃
- 도핑에 의한 n형 GaN 성장
- 사용가스종: Ar, N 2
용도
- 전원 장치
- 통신 장치
- μLED