PE-CVD 장비
Model：uGmni-200C
uGmni의 표준 코어에 PE-CVD 모듈을 탑재한 장치입니다. 트레이식 장치에 비해 낮은 파티클 적은 파티클로 고품질의 성막을 실현합니다.
특징
- 27.12MHz의 고밀도 플라즈마 공정에 대응
- SiH4 계：SiO2, SiNx, SiON, a-Si, TEOS계：SiO2 막에 대응
- NF 3 + Ar 플라즈마에 의한 챔버 클리닝 가능
- 최대 Φ200mm 기판에 대응
용도
아래의 예입니다.
- 파워 디바이스 시드 & 메탈 층 형성 스퍼터링
- MEMS 센서 PZT 성막 및 가공 에칭
- 광학 디바이스 VCSEL 가공 에칭
- 고밀도 Descum 애싱
- 통신 절연막 성막 & 가공 PE-CVD