소재
IGZO 타겟 고이동도 재료
알백은 IGZO TAOS(In, Ga, Zn, O를 이용한 투명 비정질 산화물 반도체)에서 사용되는 IGZO 타겟을 제조, 판매하고 있습니다. 파티클을 억제하기 위해 타겟의 고밀도화, 분할수 삭감에 임함과 동시에, 세계의 대부분의 디스플레이 메이커에, 고품질의 IGZO 타겟 재료, IGZO용 스퍼터링 장치, 프로세스를 토탈로 납입하고 있습니다. 또한 Albuck은 약 3m 길이의 대형 IGZO 타겟 재료를 성공적으로 개발했습니다. 이 대형 IGZO 타겟은 TFT 특성의 열화를 근본적으로 해결할 것으로 기대되고 있다.
게다가 디스플레이 메이커의 요망에 따라, 알백 독자적으로 개발한 고이동도 산화물 반도체 타겟도 개발해, 종래의 IGZO 타겟의 3배 정도의 이동도(10 cm 2 /Vs)를 실현하고 있습니다.
특징
IGZO 타겟
- 고밀도화, 분할 수 삭감으로 고품질 타겟
- 파티클이 적고 막 특성이 안정
- 대형 양산기에 의한 양산이 가능
- 3m 대형 IGZO 타겟 제공 가능
- 다양한 In:Ga:Zn비나 첨가계의 제작 실적
높은 이동도
- 알백의 원래 구성
- 비정질 산화물 반도체에서 IGZO의 3배 정도의 이동도
- 양산을 고려한 넓은 공정 마진(알백 테크니컬 저널을 참조해 주세요)
용도
- 액정, 유기 EL, 차세대 디스플레이