소재
반도체 제조 장치용
반도체 제조 장치용
스퍼터링 타겟
최첨단 박막 재료를 리드하는 알백의 반도체용 타겟 재료는, 「낮은 파티클 적은 파티클」 「균질한 막 두께 분포」 「높은 사용 효율」을 품질 목표로 하고, 재료 마다 제조 방법을 검토해 개발 제조된 고품질의 스퍼터링 타겟입니다.
특징
- 반도체용 알루미늄 타겟은 불순물 금속 성분이나 산소 등의 가스 성분을 저감한 재료를 제공하여 스퍼터링 시의 파티클 발생을 억제
- 반도체용 고순도 타겟(W, Co, Ti)은 금속 조직의 미세, 균질화에 유의한 제조 공정을 채용
예) 고순도 코발트 타겟: 금속 조직의 미세, 균질화로 인해 타겟 표면에 누설되는 자속의 변동을 최소화
예) 텅스텐 타겟 : 고객 요구에 따라 결정 입경의 제어 및 가스 성분의 저감이 가능 - SPC 관리를 통한 완전한 품질 보증
반도체 장치용 스퍼터링 타겟 재료
| 응용 분야 | 재질 | 사용 목적 |
|---|---|---|
| 전극 재료 | W （5N） | 문 |
| WSi（5N） | 문 | |
| Co（5N） | 문 | |
| Ni（5N） | 문 | |
| Ti（5N） | 장벽 등 | |
| 각종 실리사이드(4N up) | ||
| 배선 재료 | Al(5N, 5N5) 및 AlCu 등의 Al 합금(5N, 5N5) | 배선층 |
| SiO2（4N、6N） | 절연 재료 | |
| 실장 배선용 | Al(5N, 5N5) 및 Al 합금(5N, 5N5) | 배선 |
| Cu（4N） | 배선 | |
| Cr（3N） | 장벽 | |
| TiW（4N up） | 장벽 | |
| Ni（5N） | 장벽 | |
| 커패시터 재료용 | BST | DRAM 커패시터/박막 커패시터 |
| PZT | FeRAM | |
| 장벽 소재 | Ti（4N5） | |
| TiW（4N up） |
주요 300mm Wafer 용 타겟 재료
| 타겟 재료 | Al-0.5mass%Cu | Ti | W | WSi |
|---|---|---|---|---|
| 순도 | 5N5up(저 U, Th 사양) | 5N | 5N | 5N |
| 백킹 플레이트 재질 | Al 합금재 또는 Cu 합금 | Al 합금 | Al 합금재 또는 Cu, Cu 합금 | Al 합금재 또는 Cu, Cu 합금 |
| 접합 방법 | 일렉트론 빔 용접, 일체 구조품 또는 금속 본딩 잉크 | 확산 접합 | 메탈 본딩, 디퓨전 본딩 | 금속 본딩크 |