CVD装置
枚葉式プラズマCVD装置CMD シリーズ
CMDシリーズはSiH4やTEOSを用いたa-Si膜、シリコン酸化膜、窒化膜成膜用枚葉式CVD装置です。
特長
- 従来のプロセス温度に比べ、より高温でも動作可能な各ユニットの駆動系、真空搬送ロボットの開発により安定した搬送系を実現しました。
- 反応室内部構造、ガス供給システムの改良により TEOS(SiO2)膜の長期的に安定したレートを得ることができます。
- 反応ガス経路の加熱化により除外設備までガス状態で排気でき、配管トラップ未使用にて配管等に副生成物の付着を抑制し、メンテナンス時間の短縮が可能になりました。
- 成膜条件など基板個別管理が容易にできます。
用途
- 低温P-Si、α-Si TFT
仕様
| CMD-450BHT | CMD-650HT | CMD-950 | CMD-1500 | CMD-1800 | ||
| 基板サイズ（mm） | 400 × 500 × t0.7 | 600 × 720 × t0.7 | 730 × 920 × t0.7〜0.5 | 1300 × 1500 × t0.7〜0.4 | 1500 × 1800 × t0.7〜0.4 | |
| 部屋構成 | １）仕込取出室 | 2室 | ||||
| 部屋構成 | ２）加熱室 | 1室 | ||||
| ３）反応室 | 4室(アニール室がある場合3室) | 5室(アニール室がある場合4室) | ||||
| ４）搬送室 | 1室（7角形) | 1室（8角形) | 1室（7角形) | |||
| ５）真空排気系 ・仕込取出室 ・反応室 |
ロータリー＋メカブドライ＋メカブ | ドライ＋メカブ | ||||
| ６）基板移載機 | オプション | |||||
| 生産量 | 65秒／枚 (当社標準条件 SiN 300ｎｍ単層) |
75秒／枚 (当社標準条件 SiN 300ｎｍ単層) |
加熱室無 : 65秒/枚 加熱室有 : 90秒/枚 (当社標準条件 SiN 300ｎｍ単層) |
|||