nano tech 2019に出展いたします

この度、アルバック・グループより未来技術研究所はnano tech 2019に出展いたします。
今やスマート社会の実現に欠かせないナノテクノロジー。アルバック未来技術研究所では、真空技術を利用して、次世代デバイスにイノベーションを創出できるような革新的なナノテクノロジーおよび材料の提案を目指しています。
弊社展示ブースではアルバック未来技術研究所の最新研究成果をご紹介いたします。

会場で必見！研究内容を先取りでご紹介　

◆ (株)アルバック　未来技術研究所

印刷法により電極を形成するための材料：ナノメタルインク

ナノメタルインク	ナノメタルインクのTEM像

アルバックならではの真空技術を用いた蒸発法により、金属ナノ粒子を合成することができます。
この金属ナノ粒子を有機溶媒に分散させたものを「ナノメタルインク」という商品名で販売しています。
ナノメタルインク中に含まれる金属ナノ粒子は、分散安定性に優れており、高純度で粒度分布もシャープです。
ナノメタルインクは、印刷というシンプルなプロセスで、ダイレクトに電極配線パターンを形成することを可能にします。

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印刷法により形成した微細Agグリッド透明電極

ナノメタルインクを用いて印刷形成した Agグリッド透明電極フィルム	Agグリッド透明電極フィルム を用いた分散型EL素子

Agナノメタルインクを用いて、汎用的なグラビアオフセット印刷法により、柔軟なフィルム基板上に視認性の低い微細なAgグリッド配線よりなる透明電極を形成することに成功しました。
このAgグリッド透明電極フィルムは優れた柔軟性を示し、折り曲げ耐久性も良好です。
この透明電極フィルムを用いて分散型EL発光素子を作製したところ、EL素子も優れた折り曲げ耐久性を示し、繰り返し折り曲げ後も、輝度の低下がみられません 。

垂直配向CNT電極を用いたリチウムイオンキャパシタ

ラミネートセル	金属箔から成長したCNTのSEM像

金属箔から直接成長したカーボンナノチューブ（CNT）は電子伝導性が高く、電極用途ではバインダーフリーで低抵抗化が可能になります。
本CNT負極を利用したリチウムイオンキャパシタは、小型・軽量化や超高速充放電といった次世代蓄電デバイスに必要な効果が期待できます。

MOCVD成膜技術～Li+伝導性固体電解質～

高アスペクト比基板へ成膜したMOCVD固体電解質膜

MOCVD技術により成膜したリチウムイオン（Li+）伝導性固体電解質膜は、凹凸形状に追従し、優れた被覆性を示します。
面接触により全固体リチウム二次電池の課題となる活物質-電解質間の抵抗低減が期待でき、安定でLi+伝導率の高いLi-La-Zr-O系固体電解質膜形成を目指しています。

次世代エレクトロニクス材料の成膜技術 次世代のエレクトロニクスへの応用が期待されているスピントロニクス材料の研究を行っています。 研究例の一つとしてアルバックのスパッタリング装置を用いることで従来の材料に比べて10倍のスピン流拡散長を持つ単結晶YIG(Yttrium Iron Garnet)薄膜の作製に成功しています。 単結晶YIG薄膜はエネルギーハーベスティングによる小型デバイスの電源や量子コンピュータへの応用が期待されています。 会場では研究開発事例と装置ラインアップについて詳しく紹介いたします。

アルバックのスパッタリング装置で成膜したYIG膜のTEMおよび AFM観察像