乾蝕刻設備
Model：uGmni-200E
這是一種經濟高效且可擴展的乾蝕刻設備可適應單室到多室配置。
特性
- 配備“星形電極”，用於防止RF輸入窗口中的儲存物體附著。具有加熱功能提高再現性和穩定性
- ISM-duo（可選）可實現統一控制（取決於專用內外圈分離型天線的射頻分配比）
- 可選製程室，支持本公司2倍的氣體流量
- 還可選擇製程室的高溫加熱
- 可以安裝額外的蝕刻室和減壓室
- 灰化室可選配加熱台上的微波水等離子處理，以防腐蝕。
- 設備結構簡單，易於維護
- 可以添加虛擬盒和對準機構，從而可以將其用作支援各種製程的大規模生產工具。
- 提供全面的備份服務，包括回收清洗、部件、維護和培訓服務
用途
- 化合物（LED、LD、VCESL、高頻元件、通訊元件）及功率元件（IGBT配線加工、SiC加工）
- 金屬佈線、層間絕緣膜（樹脂基）、閘極電極加工製程
- 高介電常數材料及貴金屬蝕刻
- 磁性材料加工
