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介绍WLP工艺所需的溅射、刻蚀、去胶技术。
Polyimide(PI)微細Via形成
去胶–形成高纵横比的Via结构
Seed层溅射成膜
ULVAC可提供 Degas⇒去除氧化膜⇒Seed层成膜整体解决方案,Seed层的密合性也得到提高
Cu&Ti的刻蚀加工
Descum&表面处理
通过去胶除去基底残渣
高长宽比通孔的Footing去除
即使是高长宽比的hole构造,也可以以去胶的方法除去Footing
Desmear