WLP向け成膜/加工技術

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WLPプロセスで必要となるスパッタ、エッチング、アッシングの技術を紹介します。

ポリイミド(PI)微細Via形成

アッシングによる高アスペクト比のVia構造を形成

 

シードメタル成膜

ULVACではDegas⇒酸化膜除去⇒Seed層成膜を一貫して提案可能。一貫して行うことでSeed層の密着性も向上

 

Cu&Tiのエッチング加工

Descum&表面処理

アッシングによる下地残渣の除去を行う

高アスペクト比Viaに対するFooting除去

高アスペクト比であってもアッシングでFootingを除去可能

Desmear

 

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