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WLPプロセスで必要となるスパッタ、エッチング、アッシングの技術を紹介します。
ポリイミド（PI）微細Via形成
アッシングによる高アスペクト比のVia構造を形成
シードメタル成膜
ULVACではDegas⇒酸化膜除去⇒Seed層成膜を一貫して提案可能。一貫して行うことでSeed層の密着性も向上
Cu&Tiのエッチング加工
Descum＆表面処理
アッシングによる下地残渣の除去を行う
高アスペクト比Viaに対するFooting除去
高アスペクト比であってもアッシングでFootingを除去可能
Desmear
