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自動運転で必要となってくるLiDAR等の3Dセンシング技術の光源として半導体レーザの市場が活発になっています。その中の一つとして大小型化、省エネなどのメリットのあるVCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：面発光レーザー）向けのドライプロセスを紹介します。
VCSELのプロセスフロー
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1. エピタキシャル成長GaAs（砒化ガリウム）基板上に，AlGaAs/GaAs 層を数十ペア以上からなるDBR（分布反射型Distributed Bragg Reflector） 多層膜と活性層を含む積層構造としてエピ成長させます。 |
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2. パターニング＆マスク形成エピ層をメサと呼ばれる円柱状に形成するためのマスクパターンを形成します |
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3. メサ加工ドライエッチングでメサ加工を行います。 |
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4. 酸化狭窄＆保護膜形成活性層近傍に設計された特定のAlGaAs 層をウェット酸化により酸化狭窄します（この酸化狭窄層は電流と光の閉じ込め構造として，VCSEL の特性を左右する非常に重要な層になります）。またメサの側壁保護膜の成膜をします。 |
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5. 電極形成n 型，p 型それぞれの層へ電極形成を行います。 |