シード層とは

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半導体実装デバイスには、再配線層とビルドアップ配線層、大きく分けて2種類の配線層があります。再配線の絶縁層には感光性ポリイミド、ビルドアップ配線の絶縁層には樹脂とシリカフィラーが混合されたビルドアップ配線層がそれぞれ使用されています。これらの配線層に共通していることは、配線材料にCuが使用されていることです。無電解めっきによって、Cu配線層は形成されてきましたが、昨今の高密度実装製品では、微細化と積層数増加による高い層間密着性の必要性が増していることから、スパッタリングによって、絶縁材料上にシード層を形成し、電解めっきによって、Cu配線を形成することが一般的になりました。

半導体実装デバイス用のスパッタリング装置は、Cuのシード層を形成するチャンバー以外に、絶縁層内の水分を除去するDegasチャンバー、成膜前の基板表面をクリーニングするドライエッチングチャンバー、樹脂とSeed層の密着強度を高めるTiやCu合金を成膜するチャンバーが搭載されています。アルバックのスパッタリング装置では、感光性ポリイミド、ビルドアップ配線層に対して、高い密着性、カバレージを達成することが可能です。

再配線層&ビルドアップ配線層のSeed層形成

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