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イオン注入技術は、注入したい物質（不純物）をイオン化し、加速して半導体基板内に打ち込むことで、基板内に不純物を添加する方法です。イオン注入が必要な理由は主に2つあります。一つはキャリアを発生させて電気制御をできるようにすることです（P型、N型）半導体工程のメインで使われます。もう一つは物質表面を変化させることです（（化学的変化（屈折率の変化など）、構造的変化（破壊など））表面が破壊されて、結晶から非晶質（アモルファス）になります。
イオン注入で重要なパラメータは以下となります。
- エネルギー[KeV]
- 電流[μA]
- 質量数
- 埋め込む深さ[μm]
- DOSE量[ions/cm2]
