BAWデバイス向け成膜/加工技術

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裏面Viaエッチング

ノッチができる原因は、 (1)陽イオンのボトムSiO2表面への入射によって、(2)SiO2表面が正にチャージアップ、(3)続く入射陽イオンが正にチャージアップしたSiO2表面に入射してくるものの、(4)SiO2表面の正電荷に対する反発作用で入射軌道が横に曲げられ、(5)側壁に衝突しそこでエッチング反応することによってノッチが形成。
⇒これを防ぐために、下部電極に『パルス電源を導入し帯電を緩和させる』。又、我々はTSV応用技術を使い、Non-Bosch etchingでTaper control可能や高Aspect Ratioが可能である。

コンタクト電極成膜(Evaporation)

量産性とリフトオフ性を両立

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