ビルドアップ層とはビルドアップ配線を用いた基板の配線層です。 … ビルドアップ層とは
プラズマとは
異符号の電荷を有する2種類以上の荷電粒子群を含み、そのうち少なくとも1種の荷電粒子群が不規則な熱運動を行っている系において、 2つの荷電粒子間の相互作用が及ぶ平均距離より、十分大きな寸法を持った体積部分のこと。 … プラズマとは
InPの用途
InP（インジウムリン）はIII / V族半導体の一種であり、シリコンに比べて高い電子移動度と高い飽和電子速度を備えています。
GaAs(ガリウム砒素）の用途
GaAs（ガリウム砒素）はIII / V族半導体の一種であり、シリコンに比べて高い電子移動度と高い飽和電子速度を備えています。
化合物半導体の用途
化合物半導体は電磁波の一種である光や電波を扱うために適した半導体です。
Smart ICTに向けた取り組み（Semicon Japan 2021)
5G、IoTをはじめとするSmart ICTが急速に広がりつつあります。Smart ICT実現に必要な電子デバイスは多岐に渡り、今後の拡大に向けて生産技術の向上が求められています。2021年12月15日-17日の期間で開催される「Semicon Japan 2021」ではSmart ICTのコーナーで新時代に向けたULVACの取り組みを紹介します。
IGBT向け加工技術（スパッタリング）
IGBTの製造工手の中で、電極形成に必要となるスパッタリングの技術について紹介します。
IGBT向け加工技術の紹介（イオン注入）
IGBTプロセスで必要となるイオン注入技術について紹介します。
パワーデバイス裏面電極向けAuレスはんだスパッタ
パワーデバイスは省エネの観点から今後も大きな成長が見込まれるデバイスです。今回はそのパワーデバイスの裏面電極プロセスとして、Auを使用しない、はんだスパッタプロセスをご紹介します。
IGBT向け製造プロセス
ULVACではパワーデバイスIGBTの製造プロセスに向けたイオン注入装置、スパッタリング装置 等の技術を提供しています。パワーデバイスIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)とはInsulated Gate Bipolar Transistorの頭文字を取ったものです。