GaN HEMTの製造プロセス

GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ：High Electron Mobility Transistor）は低い動作抵抗と高い破壊耐圧を有しており、高出力かつ高速の電子デバイスへの応用が期待される次世代のパワー半導体である。 … GaN HEMTの製造プロセス

GaN-HEMT構造におけるゲート形成

GaN HEMTにおけるゲート構造のパターンはいくつかありますが、何れにも言えることは非常に浅い加工が要求されます。

パワーデバイスは低消費電力化を実現するデバイスとして期待されています。これまでのパワーデバイスはSi基板を用いていましたが、物性限界があるため、次世代の基板としてSiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体の活用が広がっています。 … トレンチ構造パワーデバイス製造プロセス

パワーデバイスの微細化、低抵抗化を実現するトレンチ構造を実現するためのドライエッチング技術を提供しています。 … GaNトレンチエッチング

パワーデバイスの微細化、低抵抗化を実現するトレンチ構造を実現するためのドライエッチング技術を提供しています。 … SiCトレンチエッチング

高エネルギーでの注入や、高温と低温注入の使い分けが可能なプロセスを提供します。また活性化アニールの際のSi蒸発による基板荒れを防ぐカーボンキャップ技術も提供可能です。

MEMS

下部電極であるPtとの高い選択性を持つPt/PZTエッチングプロセスを提供します。（選択比例：PZT/Pt＞5@8inch, ＞10@6inch）
また下地の掘れ量を最小化する高均一性(＜+/-3%@8inch)と精密な終点検出を提供します。

MEMS

世界最高水準のPZTスパッタ膜を安定成膜できます。(CMOS上成膜対応：PZT成膜温度 <500℃)
マルチチャンバー搭載で、PZT full stack(上下電極+PZT)を一貫成膜可能です。

近年MEMSデバイス技術はますます進化し、各種センサー、アクチュエータに不可欠な存在になっています。 … 圧電MEMSの製造プロセス

MEMS

高いリフトオフ性と高品質な膜を実現する蒸着技術を提供します。 … 電極形成のためのリフトオフ蒸着