パワーデバイス裏面電極向けAuレスはんだスパッタ

パワーデバイスは省エネの観点から今後も大きな成長が見込まれるデバイスです。今回はそのパワーデバイスの裏面電極プロセスとして、Auを使用しない、はんだスパッタプロセスをご紹介します。

IGBT向け製造プロセス

ULVACではパワーデバイスIGBTの製造プロセスに向けたイオン注入装置、スパッタリング装置等の技術を提供しています。パワーデバイスIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)とはInsulated Gate Bipolar Transistorの頭文字を取ったものです。

BAWの製造プロセスで必要となる絶縁膜を形成するためのプラズマCVD技術を紹介します。
… 絶縁膜向けプラズマCVD

高いエッチングレート、下部電極の掘れ量最小化、長期間メンテナンスフリーを実現する圧電膜向けエッチング技術を紹介します。
… BAWデバイス向けAlScN膜エッチング

ノッチフリーの裏面Viaを形成するためのエッチング技術を紹介します。

BAWデバイス制作に向けて必要となる良好な膜厚分布とばらつきの少ない応力を実現するスパッタリング技術を紹介します。 … BAWデバイス向けAlScN膜スパッタリング

量産性とリフトオフ性を両立したコンタクト電極形成のための蒸着技術を紹介します。

BAWデバイス制作に向けて必要となる圧電膜の±1.0nm以下の平坦化で活用されるULVACの技術を紹介します。 … BAWデバイス向けSc(AlN)膜イオンミリング

光導波路は通信に光を用いる伝送路のことで石英系光導波路の作製は，石英系ガラス膜の堆積技術とエッチング微細加工技術とが基本になります。
… 光導波路向け製造プロセス

光導波路プロセスで必要となるドライエッチングの技術を紹介します。 … 光導波路向け加工技術